삼성전자가 평택캠퍼스 4공장(P4)에 월 10만~12만 장 웨이퍼 생산 규모의 신규 라인을 내년 1분기까지 구축한다.
이는 6세대 고대역폭메모리(HBM4)용 최선단 1c(10나노급 6세대) D램 생산능력을 확충하기 위한 조치로, 전체 D램 생산능력이 18% 가까이 확대될 수 있다.
이번 신규 라인은 HBM4의 핵심 부품인 1c D램을 생산하며, 1c 공정은 선폭이 미세해 동작 속도와 전력 효율이 이전 1b 공정보다 우수한 것으로 알려졌다.
삼성전자의 현재 D램 월 생산능력은 66만 장 웨이퍼 수준으로, 신규 라인 가동 시 추가 증설 효과가 발생한다.
특히 투자 규모는 수십조원에 이를 것으로 관측되며, AI 시장 확대에 따른 엔비디아·AMD 등 빅테크의 HBM4 수요 급증에 선제 대응하는 전략이라는 분석이다.
앞서 삼성전자는 엔비디아의 HBM4 퀄 테스트를 통과하며 이달 중 양산 출하를 앞두고 있다.
한편 삼성전자는 HBM3E에서 SK하이닉스에 주도권을 내준 가운데 HBM4 경쟁에서 격차를 좁혀가고 있다.
HBM4는 차별화된 성능 피드백을 받았으며, 2월부터 양산 출하할 예정이다.
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