삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고, 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다.
22일 삼성전자에 따르면 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor)의 용량을 높이고, 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 업계 최선단의 공정을 완성했다고 밝혔다.
특히 멀티레이어 EUV(극자외선, Extreme Ultra-Violet) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발돼 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상된 것으로 알려졌다.
DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원하며, 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도를 제공한다.
여기다 이 제품은 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선돼, 기후 위기 극복에 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에 최상의 솔루션이 될 것으로 기대된다.
삼성전자는 “성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나갈 계획”이라며 “데이터센터ㆍ인공지능ㆍ차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정”이라고 밝혔다.
한편 삼성전자는 2023년부터 업계 최선단, 최고 성능의 12나노급 D램을 양산하는 한편, 글로벌 IT기업들과 협력하며 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 계획이다.
