삼성전자가 평택캠퍼스에 10조원을 투자해 극자외선(EUV) 기반 최첨단 파운드리(반도체 위탁생산) 라인을 구축한다.

이는 2030년까지 글로벌 시스템반도체 시장 최정상을 차지하기 위해서다.

이를 위해 삼성전자는 화성에 이어 평택캠퍼스 2공장(P2)에 EUV 공정 기반의 파운드리 라인 공사에 착수했다.

앞서 삼성전자는 올해 2월 화성캠퍼스에 EUV 전용 ‘V1’ 라인을 가동했다.

이번 계획은 평택에 EUV 파운드리 라인을 구축해 모바일·고성능컴퓨팅(HPC)·인공지능(AI) 등 다양한 분야에서 초미세 공정 기술의 경쟁력을 강화하기 위해서다.

극자외선 공정은 7나노 이하 초미세공정이 적용된 첨단제품을 생산하는 데 필수기술로 삼성전자는 올 하반기 화성 사업장에서 5나노 제품을 양산한 뒤 내년 하반기부터는 평택에서도 본격적으로 생산한다는 계획이다.

이 모든 것이 문제없이 진행될 경우 세계 1위 파운드리기업 대만 TSMC를 추격하는데 수월하다는 전망이다.

한 전문가는 “비메모리 반도체 파운드리 시장은 대만의 TSMC가 압도적”이라며 “시장을 석권하기 위해서는 AI 반도체 개발과 연구분야에도 투자가 병행되어야 한다”고 말했다.

삼성전자 DS부문 파운드리사업부 정은승 사장은 “5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것”이라며, “전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것”이라고 밝혔다.

한편 글로벌 파운드리 시장은 5G, HPC, AI, 네트워크 등 신규 응용처 확산에 따라 초미세 공정 중심의 성장이 예상된다. 삼성전자는 프리미엄 모바일 칩을 필두로 하이엔드 모바일 및 신규 응용처로 첨단 EUV 공정 적용을 확대해 나간다는 전략이다.